西安盛弘创仪器仪表有限公司

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采用单晶硅扩散技术核心,通过 MEMS 工艺将惠斯通电桥直接刻蚀在硅膜片上,实现压力与电信号的高线性转换。全不锈钢外壳结构有效抵御腐蚀性介质侵蚀,-40℃~85℃的宽温区工作能力满足极端环境需求。
紧凑型设计(直径仅30mm)支持直接安装于管道或设备接口,标配G1/2"螺纹接口兼容大多数工业标准,无需额外转换接头。
通过200万次压力循环测试,年漂移量小于0.1%FS,配合内置温度补偿电路,确保在工况波动时仍保持测量一致性。
双重过载保护设计:机械结构限位防止膜片过压损坏,电子线路具备反极性保护和短路自恢复功能,显著降低意外损坏风险。